金融界2025年8月14日消息，国家知识产权局信息显示，浙江优众新材料科技有限公司申请一项名为“一种硅基微透镜阵列抗侧蚀ICP刻蚀方法及系统”的专利，公开号CN120468979A，申请日期为2025年07月。

专利摘要显示，本申请公开了一种硅基微透镜阵列抗侧蚀ICP刻蚀方法及系统，涉及微纳光学器件制造技术领域。硅基微透镜阵列抗侧蚀ICP刻蚀方法包括如下步骤：基于刻蚀矢高和目标底径的深宽比与深宽比阈值的大小进行双模式掩膜补偿；深宽比小于或等于深宽比阈值基于线性补偿计算掩膜设计底径；深宽比大于深宽比阈值基于指数修正计算掩膜设计底径；基于当前时刻的深宽比调节对应的气体配比以降低侧蚀突变；控制单元同步控制脉冲偏置与硅片台温度进而优化刻蚀过程中的热管理；控制单元调节脉冲偏置参数以最小化热输入；控制单元基于温控模块控制硅片台温度减少光刻胶的热变形。通过深宽比阈值的双模式掩膜补偿，精确调整掩膜设计底径，减少侧蚀的影响。

天眼查资料显示，浙江优众新材料科技有限公司，成立于2015年，位于舟山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本9687.0968万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江优众新材料科技有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目10次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可584个。

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